jueves, 16 de junio de 2011
sábado, 14 de mayo de 2011
semiconductores
Semiconductores
En la construcción de dispositivos electrónicos de estado solido (estructura de cristal solido) o circuito integrado,se hasce con un material semiconductor de la mas alta calidad, pues estos son una clase de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un conductor y la de un aislante.su capa de valencia es de cuatro electrones.
Los semiconductores de un solo cristal son de estructura cristalina repetitiva se encuentran hechos de elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio.
El semiconductor compuesto se compone de dos o mas materiales semiconductores de diferente estructura atómica. arseniuro de galio(GaAs), (GaN), (GaAsP).
Enlace covalente
Es necesario entraren la estructura, atomica de los elementos, para apreciar plenamente a los materiales semiconductores.
Materiales intrínsecos
El termino se aplica a cualquier elemento semiconductor que ha sido refinado para reducir el numero de impurezas a cero.
Materiales extrínsecos
El Silicio es el elemento mas usado como material base(sustrato) si agregamos átomos de impureza modificamos la estructura atomica de un semiconductor puro.
Dopado
Cuando un material se somete al proceso de dopado se llama extrinseco.
Material tipo N
se crea al adicionar elementos impuros pentavalentes a un cristal de silicio.
Material tipo P
se crea al adicionar elementos trivalentes, a un cristal de silicio.
En la construcción de dispositivos electrónicos de estado solido (estructura de cristal solido) o circuito integrado,se hasce con un material semiconductor de la mas alta calidad, pues estos son una clase de elementos cuya conductividad se encuentra entre la de un conductor y la de un aislante.su capa de valencia es de cuatro electrones.
Los semiconductores de un solo cristal son de estructura cristalina repetitiva se encuentran hechos de elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio.
El semiconductor compuesto se compone de dos o mas materiales semiconductores de diferente estructura atómica. arseniuro de galio(GaAs), (GaN), (GaAsP).
Enlace covalente
Es necesario entraren la estructura, atomica de los elementos, para apreciar plenamente a los materiales semiconductores.
Materiales intrínsecos
El termino se aplica a cualquier elemento semiconductor que ha sido refinado para reducir el numero de impurezas a cero.
Materiales extrínsecos
El Silicio es el elemento mas usado como material base(sustrato) si agregamos átomos de impureza modificamos la estructura atomica de un semiconductor puro.
enlace covalente tipo N |
Dopado
Cuando un material se somete al proceso de dopado se llama extrinseco.
Material tipo N
se crea al adicionar elementos impuros pentavalentes a un cristal de silicio.
Material tipo P
se crea al adicionar elementos trivalentes, a un cristal de silicio.
portadores mayoritarios y minoritarios
- en el material tipo N los electrones sobrepasan a los huecos, el electrón es la parte mayoritaria y el hueco se le dice parte minoritareia, en cambio en el material de tipo P los huecos superan los electrones , los hucos es la parte mayoritaria y los electrones la parte minoritarias.
miércoles, 6 de abril de 2011
almacenadores de energía
En los circuitos eléctricos encontramos dos dispositivos pasivos llamados uno capacitor y el otro inductor que a diferencia del resistor, estos dispositivos despliegan sus características totales solo cuando se realiza un cambio en el voltaje o la corriente dentro del circuito en el que están presentes; pues estos dispositivos no disipan energía como lo hace el resistor, sino que la almacena en una forma que puede ser reingresada al circuito cuando lo requiera el diseño del circuito.
condensadores o Capacitores
son dos placas metálicas las cuales están separadas por un dieléctrico (aislante)que permite la acumulación de cargas (+ y -) activando como un almacenador de energía eléctrica..
dieléctricos: aire, mica, papel, vidrio, etc.
Tipos de capacitores
De la misma forma que los resistores, los capacitores tienen dos categorías fijas y variables. El símbolo para un capacitor fijo es y para el capacitor variable es. La línea curva representa la placa que regularmente se conecta al punto con el potencial más bajo.
Capacitores fijos
Estos capacitores tienen una capacidad fija pues su valor no se puede modificar. Sus características dependen principalmente del tipo de dieléctrico utilizado, los más utilizados son los de mica, de cerámica, electrolítico, de tantalio y de poliéster.
Capacitores variables
condensador no polarizado |
condensador polarizado |
El capacitor variable se caracteriza porque se puede ajustar continuamente, los más comunes son los de dialectico de aire que varía la capacidad mediante el giro del eje en un extremo para variar el área común de las placas móviles y fijas.
topologia:
serie cs=(ci*c2)/(c1+c2)
paralelo cp=cs+cs
bobinas o inductores
consiste en el argollamiento en forma da la bobina, sobre un núcleo lo cual permite la acumulación de energía magnética
Tipos de inductores
Equivalente practico
Asociadas con todo inductor se tiene una resistencia igual a la resistencia de las vueltas y una capacitancia parasita debida a la capacitancia entre las vueltas de la bobina.
La resistencia puede jugar un papel importante en el analisis de redes con elementos inductivos.para la mayoria de aplicaciones , ha sido posible tratar al capacitor como un elemeto ideal manteniendo un alto grado de precisión. Sin embargo, para el inductor, a menudo la resistencia se debe incluir en el analicis y puede tener efecto pronunciado en la respuesta de un sistema.
simbolo de la bobina |
Autoinductancia
La capacidad de una bobina se oponerse a cualquier cambio en la corriente es una medida de la autoinductancia (L) de la bobina. La inductancia se mide en henrys (H),en honor del fisico estadunidense joseph henry.
Los inductores son bobinas de dimenciones diversas diseñadas para introducir cantidades especificas de inductancia dentro de un circuito. La inductancia de una bobina varia directamente con las propiedades magneticas de esta. Por tanto, los materiales ferromagneticos se emplean con frecuencia para incrementar la inductancia aumentando el flujo de acoplamiento a la bobina.
hay campos magnéticos en todo los condensadores
topologia
serie cp=cs+cs
paralelo LP=(L1*L2)/(L1+L2)
leyes de kirchhoff
cuando se analizan circuitos,son necesarias métodos matemáticos que ayuden en la comprobación de los resultados es así como kirchhoff nos entrega dos formulas para este fin
LVK
ley de voltaje, en lazo cerrado es igual a cero (0)
matemáticamente:
ejemplo:
LVK
ley de voltaje, en lazo cerrado es igual a cero (0)
matemáticamente:
ejemplo:
vs=12v
v1=4v
v2=6v
v3=2v
v-v1-v2-v3=0
12v-4v-6v-2v=0
12v-12v=0
LCK
ley de corriente de kirchhoff l,la suma de corriente que entra al nodo es igual a la sumatoria de corrientes que salen del nodo
matemáticamente:
i1=3A
i4=2A
i2=2A
i3=3A
12+13=i1+i4
3A+2A=2A+3A
domingo, 3 de abril de 2011
circuitos
lazo cerrado al paso de la corriente en otras palabras es cuando polarizo(coloco una fuente de voltaje)
Topologia
circuito serie: conexión de dispositivos secuencialmente
comparten un solo nodo.
circuito paralelo las terminales de entrada de todos los dispositivos conectados coincidan entre sí, lo mismo que sus terminales de salida.
comparten dos nodos.
Topologia
circuito serie: conexión de dispositivos secuencialmente
comparten un solo nodo.
circuito paralelo las terminales de entrada de todos los dispositivos conectados coincidan entre sí, lo mismo que sus terminales de salida.
comparten dos nodos.
tabla de notación científica
1000n | 10n | Prefijo | Símbolo | Escala Corta | Escala Larga | Equivalencia decimal en los Prefijos del SI | Asignación |
---|---|---|---|---|---|---|---|
10008 | 1024 | yotta | Y | Septillón | Cuatrillón | 1 000 000 000 000 000 000 000 000 | 1991 |
10007 | 1021 | zetta | Z | Sextillón | Mil trillones | 1 000 000 000 000 000 000 000 | 1991 |
10006 | 1018 | exa | E | Quintillón | Trillón | 1 000 000 000 000 000 000 | 1975 |
10005 | 1015 | peta | P | Cuatrillón | Mil billones | 1 000 000 000 000 000 | 1975 |
10004 | 1012 | tera | T | Trillón | Billón | 1 000 000 000 000 | 1960 |
10003 | 109 | giga | G | Billón | Mil millones / Millardo | 1 000 000 000 | 1960 |
10002 | 106 | mega | M | Millón | 1 000 000 | 1960 | |
10001 | 103 | kilo | k | Mil / Millar | 1 000 | 1795 | |
10002/3 | 102 | hecto | h | Cien / Centena | 100 | 1795 | |
10001/3 | 101 | deca | da | Diez / Decena | 10 | 1795 | |
10000 | 100 | ninguno | Uno / Unidad | 1 | |||
1000−1/3 | 10−1 | deci | d | Décimo | 0,1 | 1795 | |
1000−2/3 | 10−2 | centi | c | Centésimo | 0,01 | 1795 | |
1000−1 | 10−3 | mili | m | Milésimo | 0,001 | 1795 | |
1000−2 | 10−6 | micro | µ | Millonésimo | 0,000 001 | 1960 | |
1000−3 | 10−9 | nano | n | Billonésimo | Milmillonésimo | 0,000 000 001 | 1960 |
1000−4 | 10−12 | pico | p | Trillonésimo | Billonésimo | 0,000 000 000 001 | 1960 |
1000−5 | 10−15 | femto | f | Cuatrillonésimo | Milbillonésimo | 0,000 000 000 000 001 | 1964 |
1000−6 | 10−18 | atto | a | Quintillonésimo | Trillonésimo | 0,000 000 000 000 000 001 | 1964 |
1000−7 | 10−21 | zepto | z | Sextillonésimo | Miltrillonésimo | 0,000 000 000 000 000 000 001 | 1991 |
1000−8 | 10−24 | yocto | y | Septillonésimo | Cuatrillonésimo | 0,000 000 000 000 000 000 000 001 | 1991 |
Suscribirse a:
Entradas (Atom)